首页> 外文期刊>日经ナノビジネス >低加速EB高速転写装置を開発しED表面に200nm径の微細周期構造
【24h】

低加速EB高速転写装置を開発しED表面に200nm径の微細周期構造

机译:低加速度EB高速转移装置是在ED表面上产生200nm直径200nm的微透射结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

ジャスダック上場の半導体検査機器メーカー、ホロンは、低加速電圧電子ビーム(EB)高速転写装置を開発、販売を始めた。直径200nm程度の穴が周期的に開いたフォトニック結晶と呼ばれる微細構造を発光ダイオード(LED)の表面などに効率よく作製できる。 LEDの高輝度化につながるフォトニック結晶の微細なパターンを正確な間隔で素早く転写できる。 価格は1億5000万円。
机译:Jasdauck上市半导体检测设备制造商,Holon开始开发和销售低加速电压电子束(EB)高速传输装置。 在发光二极管(LED)的表面上有效地产生称为约200nm的直径约200nm的光子晶体的精细结构。 导致LED高亮度的光子晶体的精细图案可以快速转移到精确的间隔。 价格为1.5亿日元。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号