ボールセミコンダクター技術とボールマイクロマシニング

摘要

現在の半導体産業界のトレンドは限りない回路の微細化と複雑化，ウエハーの大口径化であるが，それらによるプロセス装置の複雑化と投資額の巨大化は，半導体産業のリスクを非常に高いものにしている。 これらのトレンドが突き進む先には物理的,技術的な限界だけでなく，経済的な限界が近づいてきているともいえる。 ボールセミコンダクターでは，球状半導体という新しいコンセプトにより，主に経済的な限界に対するブレークスルーに焦点をあてた開発を行っている。 筆者らが現在使用しているシリコン球は直径1mmであり，その表面積は1mm~2のチップよりも約3倍大きい。 筆者らは半導体の製造コストを従来の十分の一に削減し，サイクルタイムを1週間程度に短縮することを目標としている。2次元平面のチップに対し，球面上に作成された集積回路を筆者らは球状半導体（ボールセミコンダクター）と呼ぶが，3次元球体のもつ特徴的な形から様々な新しいアプリケーションが生まれる可能性もありうる。 特にMEMS分野では3次元的なメカニカル構造が必要とされることが多く，球状半導体技術を生かした新しいデバイスが考えられる。 本稿ではまず球状半導体を実現するために必要な要素技術について説明したうえで，現在開発中の3軸加速度センサーなど，ボールマイクロマシニングによるMEMSデバイスについて説明する。