巨大磁気抵抗効果材料のナノ革新

摘要

本稿では，ハードディスクドライブ(HDD)の高記録密度化に大きく貢献した面内通電型(Current-In-Plane: CIP)のスピンバルブGMR薄膜について簡単に述べた後，トンネル磁気抵抗効果(Tunnel Magneto-Resistance: TMR)の後継材料として，1テラビット／平方インチを超える超高密度磁気記録の実現のために，再び期待が高まってきた垂直通電型(Current-Perpendicular-to-Plane: CPP)のGMR，ならびにサブナノ技術を組み込hだ新たな電流狭窄構造の磁気抵抗効果材料について紹介する．特に電流のナノ狭窄は，これまでにない新たな取組みであり，応用と基礎の両面から興味が持たれるナノの革新技術である．