三座配位子を有する二次元型ユウロピウム（III）錯体の集積化による高効率発光

摘要

希土類錯体は4f軌道に由来する半値幅の狭い発光を示すことから、次世代のELディスプレイや表示材料など様々な応用が期待されている。希土類錯体の発光は、励起状態からの放射失活過程、および無放射失活過程の2つの過程によって支配される。放射失活速度を大きくし、無放射失活速度を小さくすることで、希土類錯体を強発光へと導くことができる。我々は無放射失活過程の抑制を行うために、配位子構造を低振動化させた強発光希土類錯体を報告してきた1）。