机译:InAs(100)表面TiO2薄膜的原子层沉积(ALD)过程中的铟扩散和自然氧化物去除
indium arsenide; interface "clean-up"; diffusion; atomic layer deposition; indium oxides;
机译:InAs(100)表面TiO2薄膜的原子层沉积(ALD)过程中的铟扩散和自然氧化物去除
机译:GaAs(100)表面TiO_2薄膜原子层沉积过程中的原生氧化物消耗
机译:ha和氧化锆薄膜原子层沉积(ALD)中的表面形态和结晶度控制
机译:GaAs(100)表面上金属氧化物膜的原子层沉积
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:通过化学蚀刻和通过原子层沉积(ALD)沉积二氧化钛薄膜在纳米钛表面上形成微结构和纳米结构
机译:GaAs(100)表面上金属氧化物膜的原子层沉积
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。