電磁界解析及び実測に基づくSiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討

摘要

サージ·リンギング発生のメカニズムを解明し，設計段階でその低減を図るためには，配線や素子に存在する寄生成分の定量評価及びモデル化が必要である．著者らはこれまでに，PCB上に模擬したSiCパワーモジュールの内部配線の寄生インダクタンスを，部分要素等価回路（PEEC：Partial Element Equivalent Circuit）法及びモーメント法MoM: Method of Moment）によってモデル化し，その妥当性を評価してきた．本報告では，PEEC法及びモーメント法に基づきモデル化したSiCパワーモジュールの寄生イシダクタンスの妥当性を，インピーダンスの周波数特性測定及びシャントスルー法による測定から評価した結果について述べる．さらに，SiC MOSFETの過渡応答に重畳するサージ電圧を低減するパワーモジュール設計について，PEEC法及びモーメント法により検討した結果を示す．