電磁界解析及び実測に基づく SiCパワーモジュール配線の寄生インダクタンス評価に関する一検討

摘要

本報告では，SiCパワーモジュールの内部配線に存在する寄生インダクタンスを，電磁界解析及びインピーダンスの 実測に基づいて評価した.モーメント法においては，解析対 象の構造に合わせて適切にポートを設定することで，精度良いモデル化が出来ることを確認した.また，PEEC法で は，支配的な電流の方向にあわせてセルを設定することで 精度良いモデル化が出来ることを確認した.さらに，DCリ ンクキャパシタの実装によりサージ·リンギング発生に寄 与する回路の実効的な寄生インダクタンスを低減できるこ とを電磁界解析により検証し，SiCパワーモジュールのス イッチング試験における電圧応答の測定によりその効果を 確認した.本報告の結果を踏まえ，電圧•電流に対するモ ジュール内蔵DCリンクキャパシタの影響評価について， SiCパワーモジュールを用いた降圧DCDCコンバータの連 続動作及び回路解析を行うことが今後の検討課題である.