首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. マイクロ波. Microwaves >低周波アクティブ高調波ロード·プルを利用した高効率マイクロ波電力増幅率の最適負荷インピーダンス推定の高精度化
【24h】

低周波アクティブ高調波ロード·プルを利用した高効率マイクロ波電力増幅率の最適負荷インピーダンス推定の高精度化

机译:使用低频主动谐波载拉的高效微波功率放大因子的高精度高精度。

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

低周波アクティブマルチ高調波ロード·プルシステムを用いた高効率マイクロ波電力増幅器設計において,高効率動作を実現するための最適負荷インピーダンス導出の精度向上に関する検討を行った.従来方法では,トランジスタ内の非線形容量寄生素子は全て線形近似されていたが,本手法では,トランジスタ寄生容量の非線形性を設計で考慮できるようにしている.提案手法での設計により,試作されたGaN HEMT増幅器は,2.13GHzで30.5dBmの出力電力で74%の最大付加電力効率(PAE)を達成した.それに対して,寄生容量を線形近似で設計·試作されたGaN HEMT増幅器は2.14GHzで31.0dBmの出力電力で,64%の最大PAEとなり,提案手法の有用性が示された.
机译:在高效率微波功率放大器设计中,使用低频有源多谐波路拉动系统,我们检查了最佳负载阻抗推导的精度改善,实现了高效率操作。 在传统方法中,晶体管中的所有非线性位移寄生元件已经线性近似,但是在该方法中,可以考虑晶体管寄生电容的非线性。 通过设计采用该方法,GaN HEMT放大器根据2.13GHz的输出功率,最大地实现了74%的最大增加功率(PAE)。 另一方面,用寄生电容设计和原型的GaN HEMT放大器为3.14GHz,输出功率为31.0 dBm,在2.14 GHz,最大PAE为64%,显示了所提出的方法的效用。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号