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低周波アクティブ高調波ロード·プルを利用した高効率マイクロ波電力増幅率の最適負荷インピーダンス推定の高精度化

机译:利用低频有源谐波负载牵引对高效微波功率放大系数进行高精度的最优负载阻抗估计

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摘要

低周波アクティブマルチ高調波ロード·プルシステムを用いた高効率マイクロ波電力増幅器設計において,高効率動作を実現するための最適負荷インピーダンス導出の精度向上に関する検討を行った.従来方法では,トランジスタ内の非線形容量寄生素子は全て線形近似されていたが,本手法では,トランジスタ寄生容量の非線形性を設計で考慮できるようにしている.提案手法での設計により,試作されたGaN HEMT増幅器は,2.13GHzで30.5dBmの出力電力で74%の最大付加電力効率(PAE)を達成した.それに対して,寄生容量を線形近似で設計·試作されたGaN HEMT増幅器は2.14GHzで31.0dBmの出力電力で,64%の最大PAEとなり,提案手法の有用性が示された.
机译:在使用低频有源多谐波负载-牵引系统的高效微波功率放大器的设计中,我们研究了推导最佳负载阻抗以实现高效工作的精度的提高。在传统方法中,晶体管中的所有非线性电容寄生元件都是线性近似的,但是在这种方法中,可以在设计中考虑晶体管寄生电容的非线性。通过采用建议的方法进行设计,原型GaN HEMT放大器在2.13 GHz的输出功率为30.5 dBm时,实现了74%的最大附加功率效率(PAE)。另一方面,通过线性近似寄生电容设计和原型化的GaN HEMT放大器在2.14 GHz时的最大PAE为64%,输出功率为31.0 dBm,证明了该方法的实用性。

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