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線形補間型DDSの残留誤差補正用メモリサイズ削減手法

机译:线性插值型DDS残差纠错的内存尺寸减小方法

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摘要

本報告では,線形補間型直接ディジタルシンセサイザ(DDS)の残留誤差補正方式と,残留誤差補正用メモリのサイズ削減手法について述べる.線形補間型DDSの位相·振幅変換回路では,0から90度までの位相データを複数のセグメントに分けて正弦波の線形補間を行い,線形補間後の残留誤差をメモリにより補正する.この残留誤差補正用メモリのサイズを削減するために,メモリのアドレスに相当する位相データをセグメントに応じて最適値に変更することでセグメント間のメモリ共通化手法を提案する.まず提案方式の原理説明と回路構成について述べる.次に提案方式の検証として,セグメント数2~sが8の場合についてパラメータ検討を行い,位相·振幅変換回路出力での最大スプリアスレベルを求める.そしてメモリ削減を行わない従来方式との比較を行い,提案方式の有効性を確認する.提案方式により,メモリのサイズを従来方式と比較して1/2~sに削減できる.
机译:在本报告中,将描述线性插值型直接数字合成器(DDS)的居住纠错方法及其剩余纠错存储器的尺寸减小方法。在线性插值型DDS的相位/幅度转换电路中,从0到90度的相位数据被划分为多个段,执行正弦波的线性插值,并且通过存储器校正线性插值后的残差误差。为了减小剩余纠错存储器的大小,通过将对应于存储器地址对应的相位数据改变为根据该段来提出段之间的存储器公共方法。首先,将描述所提出的方法和电路配置的原理描述。接下来,作为所提出的方法的验证,考虑参数的段2至s的8到S的情况,并且获得相位/幅度转换电路输出处的最大杂散水平。然后,比较与不降低存储器的传统方法的比较,并确认所提出的方法的有效性。通过所提出的方法,与传统方法相比,存储器的尺寸可以减少到1/2至s。

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