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【24h】

線形補間型DDSの残留誤差補正用メモリサイズ削減手法

机译:线性插值DDS残差校正的存储量减少方法

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摘要

This paper presents a novel memory size reduction technique for residual error-correction of a direct digital synthesizer (DDS) using piecewise-linear approximation. In the phase-to-amplitude conversion circuit of the DDS, the phase data between 0 and 90 degrees is divided into two or more segments; and piecewise-linear approximation of a sine wave is performed. A residual error correction memory is used to reduce the residue error after piecewise-linear approximation. In order to reduce the size of this memory, we propose the standardized memory technique between segments. In this proposed technique, phase data which is equivalent to memory address is changed to optimum value according to each segment. Principle explanation and circuit configuration of the proposed technique are described. To verify the proposed method, we examine internal parameters and calculate the maximum spurious level at output of the phase-to-amplitude conversion circuit in the case of 8 segments. Comparison with the conventional technique which does not perform memory reduction shows the validity of a proposed technique. The proposed technique reduces the total size of memories to approximately 1/2~s.%本報告では,線形補間型直接ディジタルシンセサイザ(DDS)の残留誤差補正方式と,残留誤差補正用メモリのサイズ削減手法について述べる.線形補間型DDSの位相・振幅変換回路では,0から90度までの位相データを複数のセグメントに分けて正弦波の線形補間を行い,線形補間後の残留誤差をメモリにより補正する.この残留誤差補正用メモリのサイズを削減するために,メモリのアドレスに相当する位相データをセグメントに応じて最適値に変更することでセグメント間のメモリ共通化手法を提案する.まず提案方式の原理説明と回路構成について述べる.次に提案方式の検証として,セグメント数2∫が8の場合についてパラメータ検討を行い,位相・振幅変換回路出力での最大スプリアスレベルを求める.そしてメモリ削減を行わない従来方式との比較を行い,提案方式の有効性を確認する.提案方式により,メモリのサイズを従来方式と比較して1/2~sに削減できる.
机译:本文提出了一种新颖的内存大小减少技术,用于使用分段线性逼近技术对直接数字合成器(DDS)进行残差校正。在DDS的相位-振幅转换电路中,将0度和90度之间的相位数据分为两个或更多个段。并进行正弦波的分段线性逼近。残留误差校正存储器用于减少分段线性逼近后的残留误差。为了减小此内存的大小,我们提出了段之间的标准化内存技术。在该提出的技术中,相当于存储器地址的相位数据根据每个段被改变为最佳值。描述了所提出技术的原理说明和电路配置。为了验证所提出的方法,我们检查了内部参数,并在8段的情况下计算了相-幅转换电路输出端的最大杂散电平。与不执行存储器减少的传统技术的比较显示了所提出技术的有效性。所提出的技术将存储器的总大小减小到大约1/2%。线形补间型DDSの位相・振幅変换回路では,0から90度までの位相データを复数のセグメントに分けて正弦波の线形补间を行い,线形补间后の残留误差をメモリにより补正する。この残留误差补充正用メモリののサイズを削减するために,メモリのアドレスに相当する位相データをセグメントに応じて最适値に変更することでセグメント间のメモリ共通化手法を进行する。次に进行方式の検证として,にント数2∫が8の场合についてパラメータ検探タ検行い,位相・振幅変换回路出力での最大スプリアスレベルを求める。比较方式により,メモリのサイズを従来方式と比较して1/2〜sに削减できる。

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