Ka帯20W出力AlGaN／GaN HEMTの開発

摘要

近年、通信用途としてKa帯AlGaN／GaNデバイスの期待が高まってきている。今回われわれは動作周波数26GHzにおけるAlGaN／GaN HEMT高出力デバイスの開発をした。エピタキシャル構造とゲート長について検討し、素子性能として最大発振周波数（fmax）138GHzを得た。また総ゲート幅6.4mmの電力素子に整合をとりVds＝30Vにおいて出力20Wを小信号利得6.7dB、電力付加効率18.5％を得た。