Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性－Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較

日高淳輝; 竹下明伸; 今村辰哉; 高野晃大; 奥田和也; 小澤慎二; 松浦秀治; 紀世陽; 江藤数馬; 児島一聡; 加藤智久; 吉田貞史; 奥村元

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Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性－Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較

机译：Al-N Codopp P型4H-SiC eBimycardet的电性能 - DoPP和编重电阻率的温度依赖性比较

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オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜にNをコドーピングすることで，結晶性が改善されることが報告されている．そこで本研究では，Al-Nコドープp型4H-SiCの電気的特性を評価した．Al単独ドープより，Nをコドープすることで最近接ホッピング伝導が高温側で生じやすくなることが確認できた．

机译：为了使SiC N通道IGBT具有低导通电阻，低电阻和高质量的P型SiC板是必不可少的。据报道，通过将N至高浓度Al掺杂的4H-SiC EPI膜编写，改善了结晶度。因此，在本研究中，评估Al-N编码p型4H-SiC的电特性。通过单独掺杂的基于N的编码，证实了在高温侧可能发生足够的跳跃传导。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 電子ディスプレイ. Electronic Information Display》 |2017年第372期|共4页
作者
日高淳輝; 竹下明伸; 今村辰哉; 高野晃大; 奥田和也; 小澤慎二; 松浦秀治; 紀世陽; 江藤数馬; 児島一聡; 加藤智久; 吉田貞史; 奥村元;
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作者单位

大阪電気通信大学;

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大阪電気通信大学;

大阪電気通信大学;

産業技術総合研究所;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类通信理论;
关键词
P型4H-SiC; 高濃度Alドープ4H-SiC; 高濃度Al-Nコドープ4H-SiC; 伝導機構; 抵抗率の温度依存性;

机译：P型4H-SiC;高浓度Alドープ4H-SiC;高浓度Al-Nコドープ4H-SiC;伝导机构;抵抗率の温度依存性;

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