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シミュレーテッド·アニーリング法を用いたセル概略配置の座標精度に関する検討

机译:用模拟退火方法研究细胞轮廓布置的坐标精度

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摘要

スタンダード·セル方式の大規模集積回路のセル配置処理は、概略配置と詳細配置から構成される。 概略配置では、セルの大まかな位置が決められ、詳細配置へも重要な影響を与える。 しかしその座標精度について、われわれの知る限り議論されていない。 そこでわれわれは、概略配置において、シミュレーテソド·アニーリング法を用いた総配線長のコスト関数による最適化過程の中で、その座標精度を配置スロット幅として規定したや12,000~69,000個のセル数を持つ8種のベンチマーク回路を用いた詳細なコンピュータ実験を行なって最終解を求めた。 その結果、約25個×平均セル幅のスロット幅において、総配線長が最小になることを見出したのでここに報告する。シミュレーテッド·アニーリング法の温度冷却スケジュールを0.92から0.97まで調べたが、この最適なスロット幅と最終コストはほぼ変わらない。本報告では、以上の実験結果と、その最適なスロット幅とセル横幅による最終解への影響について論ずる。
机译:标准电池系统的大规模集成电路的单元布置过程由示意性布置和细节布置组成。在示意性布置中,确定细胞的粗糙位置并对详细排列产生重要影响。但是,坐标准确性尚未如您所知尽可能多地讨论。因此,在一般的布置中,在优化过程中,通过使用模拟的输回方法的总布线长度的成本函数,坐标精度被指定为槽宽或12,000至69,000的单元数量的细节使用八个基准电路进行了用于确定最终解决方案的基准电路。结果,由于已经发现总布线长度在大约25×平均细胞宽度的槽宽最小化,因此我们在此报告。模拟退火方法的温度冷却时间表从0.92〜0.97检查,但这种最佳的槽宽度和最终成本几乎不变。在本报告中,我们讨论了上述实验结果和由于其最佳槽宽和电池宽度而对最终解决方案的影响。

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