m面サファイア基板上半極性AlGaN／AlNの結晶成長と量子井戸発光特性

摘要

内部量子効率の高い深紫外発光ダイオード（UVC-LED）の実現に向けて、ピエゾ電界低減の観点から半極性AlGaNヘテロ構造が現在注目されている。半極性面の中でも（11-22）面はピエゾ電界が大きく低減することが予想される有望な面方位である。しかし、サファイア基板上の（11-22）面AlGaN結晶成長は実施例が少なく、また（1-103）面と（11-22）面が混在するといった課題が報告されている。我々はAlNに関して高い成長温度（～1500°C）の下、V/III比を変化させることにより結晶面の制御を試みた。さらに、（11-22）面AlGaNが得られる成長条件を見出し、Siドーピング及び量子井戸の作製と測定を行った。