エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価

摘要

高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である．本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った．KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大·中·小の3種類に分類できることが分かった．サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通転位密度は非常に少なく、HVPE法による厚膜成長後も貫通転位密度の大幅な増加は見られなかった．三角ストライプ加工を行ったAlN／サファイア基板上へHVPE法により厚膜成長を行い、フアセット制御により貫通転位の伝搬を抑制することができた．