共焦点ラマン分光マッピングを用いたホモエピタキシャルダイヤモンド中の転位の評価

摘要

我々は、これまでにダイヤモンドパワーデバイスの漏れ電流を誘起する欠陥の検出方法の確立を目的に、カソードルミネッセンスマッピングによる高輝度Band-A発光点 1やエッチピット法による凝集型ピット 2を報告してきた。しかし、決定的な欠陥評価法の確立には、至っていない。そのため、複数の評価を組み合わせた視点が重要であり、デバイス不良箇所での2Dや3Dイメージングが必要不可欠である。近年、他材料で共焦点ラマン分光マッピングによる欠陥のイメージングが注目されているが 3、ダイヤモンドでの詳細な報告は少ない 4。本研究では、共焦点ラマン分光を用いてホモエピタキシャルダイヤモンド中の転位の評価を試みた。