NTTアドバンストテクノロジー 電子デバイス用窒化物半導体基板の本格販売開始

摘要

05年8月3日，NTTアドバンストテクノロジーは，NTT研究所から高歩留まり製造技術を導入することで，電子デバイス用「窒化物半導体エピタキシャル基板」の本格販売を開始したと発表した。 窒化物半導体基板は，第三世代以降の携帯用基地局の高出力増幅器や，高耐圧電力変換素子，高温動作センサ等への応用が期待できる。今回製造·販売を開始した「窒化物半導体エピタキシャル基板」は，NTT研究所が開発したもので，窒化物半導体材料による（HEMT：高電子移動度トランジスタ用ヘテロ接合エビタキシャル基板）向けに新しい製造技術を採用したものである。この新技術により，歩留まり率が高く，安定した品質の「窒化物半導体エビタキシャル基板」を低価格で提供することが可能となった。窒化物半導体は，高温·高耐圧下で動作する次世代耐環境電子デバイス材料として，また安全性が高く，環境負荷の小さい化合物半導体としても期待されている。