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磁性の基礎とスピンエレクトロニクスへの展開II/2.非磁性金属中の磁性不純物によるスピン依存散乱

机译:磁性基础和旋转电子器件通过磁性II / 2分旋旋转散射散射

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摘要

スピンエレクトロニクスの中枢をなす現象は伝導電子のスピン依存散乱にあるといってよく,この現象を制御することがスピンエレクトロニクスの最大のミッションである。 これについては近年の磁性人工格子の設計および微細加工技術の著しい進展がこの分野の大きな支えとなっていることは言うまでもない。 一方,制御の対象となるスピン依存伝導現象そのものは1950年代からの物性物理学分野の重要な関心事であり,我が国の磁性物理研究の牽引役となってきたことは特筆に価する。大胆な言い方をすれば,今日のスピンエレクトロニクスの諸現象に関する理論的考察ほ1980年代までのバルクにおけるスピン依存伝導現象に対する研究成果(知見)のうえに成り立っているといっても過言ではない。 特に,非磁性金属中の磁性不純物によるスピン依存散乱の考え方は,巨大磁気抵抗(GMR)効果や磁性層間相互作用の理論的解釈の基礎をなしており,その後のスピンエレクトロニクス研究の根幹を支える重要な概念となっている.
机译:据说旋转电子器件的现象是传导电子的旋转依赖性散射,并控制这种现象是旋转电子的最大任务。不言而喻,近年来磁性人工网格的设计和微制造技术的显着进展是该领域的主要支持。另一方面,旋转依赖导电现象本身是20世纪50年代的物理性质领域的重要关注,以及日本磁性研究的牵引力。如果你说大胆的方式,它毫不夸张地说,关于当今自旋电子产品现象的理论考虑因素是研究结果(调查结果)在散装到20世纪80年代的旋转依赖传导现象的结果。特别地,非磁性金属中磁杂质的旋转依赖性散射的概念是巨型磁阻器(GMR)效应和磁晶间相互作用的理论解释的基础,并且支持旋转电子研究的基础是重要的。它有成为一个概念。

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