机译:InGaAsp中红外光学表征
Univ Paris Diderot CNRS Lab Mat &
Phenomenes Quant UMR 7162 Paris France;
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Phenomenes Quant UMR 7162 Paris France;
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Phenomenes Quant UMR 7162 Paris France;
Univ Grenoble Alpes CEA INAC PHELIQS CEA CNRS Nanophys &
Semicond Joint Grp Grenoble France;
III V Lab Thales Res &
Technol Route Dept 128 F-91767 Palaiseau France;
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Phenomenes Quant UMR 7162 Paris France;
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机译:InGaAsp中红外光学表征
机译:具有14.7 dB / mm TE模式不可逆衰减的InGaAsP / InP有源波导光隔离器的制作和表征
机译:偏振不敏感的1310 nm InGaAsP-InP量子阱半导体光放大器的制作和完整表征
机译:异步光学采样InGaASP MQW中声子位的特征
机译:用于中红外传输的半导体核心光纤的制造与表征
机译:设计有前途的中红外非线性光学材料的新策略:缩小带隙以实现较大的非线性光学效率并降低高激光诱导损伤阈值的热效应
机译:使用固体源分子束外延的红外自由空间光学应用的砷化镓铝砷化物材料系统反射调节器的设计与光学特征
机译:用于中红外激光应用的基于锑的I型和II型多量子阱半导体结构的光学表征。