机译:基于高效的InGaN的LED,GaN衬底的预粗糙化背面
Univ Sains Malaysia Inst Nano Optoelect Res &
Technol INOR George Town 11800 Malaysia;
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Univ Calif Santa Barbara Dept Mat Santa Barbara CA 93106 USA;
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机译:基于高效的InGaN的LED,GaN衬底的预粗糙化背面
机译:具有波纹界面衬底的高效基于InGaN的LED的仿真和制造
机译:超晶格应力消除层中InGaN与GaN的厚度比对在Si衬底上生长的InGaN基绿色LED的光电性能的影响
机译:具有半球形图案蓝宝石基材的高效IngaN的LED仿真
机译:高效,线性和宽带GaN MMIC功率放大器。
机译:La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的高效GaN基发光二极管晶片
机译:在GaN纳米柱基板上过度生长的高效且明亮的LED
机译:柔性基板上大面积pLED的设计:使用含恶二唑ppV的统计共聚物的高效柔性装置