...
机译:通过诱导电流和阴极致发光方法对电子射线辐射对横向覆盖GaN薄膜缺陷结构的影响
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences;
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials Russian Academy of Sciences;
induced current; cathodoluminescence; GaN; electron-beam irradiation; dislocation glide;
机译:通过诱导电流和阴极致发光方法对电子射线辐射对横向覆盖GaN薄膜缺陷结构的影响
机译:通过诱导电流和阴极致发光方法对电子射线辐射对横向覆盖GaN薄膜缺陷结构的影响
机译:低能电子束辐照引起的横向过长生长GaN薄膜中的位错滑移
机译:AlGaN在外延横向覆盖AIN / SAPPHIRE模板上的结构和光学性质的阴极致发光和TEM研究
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
机译:电子背散射衍射与截面阴极发光光谱相关的外延横向生长的GaN表征
机译:两步横向外延过度生长的非平面GaN衬底模板中缺陷减少的透射电子显微镜研究