机译:通过使用具有多样化腔深度的封盖晶片来实现用于片上芯片工艺的多个密封室压力
Natl Tsing Hua Univ Dept Power Mech Engn Hsinchu Taiwan;
Taiwan Semicond Mfg Co TSMC Ltd Hsinchu Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Power Mech Engn Hsinchu Taiwan;
Taiwan Semicond Mfg Co TSMC Ltd Hsinchu Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Power Mech Engn Hsinchu Taiwan;
wafer level capping; hermetic; outgassing; MEMS;
机译:通过使用具有多样化腔深度的封盖晶片来实现用于片上芯片工艺的多个密封室压力
机译:电容耦合300mm晶圆等离子处理室中与频率相关的等离子特性
机译:使用金晶片级热压键合的气密腔
机译:通过改变帽Si的空腔深度来调制气密密封MEMS装置的腔室压力
机译:空气和其他气体在气密密封室内磷酸铯二氢磷酸铯的稳定过程中的影响
机译:Nd:YAG激光后囊切开术对眼压屈光度前房深度和黄斑厚度的影响
机译:非白内障眼白内障超声乳化术后前房深度对前房深度对眼压的影响非白内障性白内障术后白内障超声乳化术后前房深度对前房深度的影响非白内障眼白内障术后无明显超声乳化术后眼内压对前房深度的影响