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机译:金属氧化物半导体有机钝化层的微观结构调制,实现高偏置稳定性
Sogang Univ Dept Chem &
Biomol Engn 1 Shinsoo Dong Seoul 04107 South Korea;
Chung Ang Univ Sch Elect &
Elect Engn 84 Heukseok Ro Seoul 06974 South Korea;
Sungkyunkwan Univ Sch Adv Mat Sci &
Engn Suwon 16419 South Korea;
Abdullah Gul Univ Dept Mat Sci &
Nanotechnol Engn TR-38080 Kayseri Turkey;
Chung Ang Univ Sch Elect &
Elect Engn 84 Heukseok Ro Seoul 06974 South Korea;
Sungkyunkwan Univ Sch Adv Mat Sci &
Engn Suwon 16419 South Korea;
Sogang Univ Dept Chem &
Biomol Engn 1 Shinsoo Dong Seoul 04107 South Korea;
机译:金属氧化物半导体有机钝化层的微观结构调制,实现高偏置稳定性
机译:高性能GaAs基金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管,原子层沉积Al_2O_3栅氧化物并通过有机金属化学气相沉积原位钝化AlN
机译:在45纳米节点互补金属氧化物半导体的高压缩接触蚀刻停止层下使用缓冲层的新型负偏置温度不稳定性改善
机译:有机半导体器件中的金属氧化物空穴注入/提取层
机译:层状氧化钙钙质的微波辅助Topemical操作:从无机层状氧化物到无机 - 有机杂交钙酸盐和官能化金属氧化物纳米液中
机译:基于CsPbIBr2和具有改善稳定性的金属氧化物传输层的全无机钙钛矿太阳能电池
机译:使用金属有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包含al2O3栅极氧化物和alN钝化层的Gaas金属氧化物半导体结构的电特性
机译:mOs(金属氧化物半导体)器件中陷阱电荷积累的偏压和氧化层厚度依赖性