机译:N-ZnO纳米线/ P-Si衬底异质结二极管的制造和温度依赖性电学特性
King Khalid Univ Fac Sci Dept Phys Abha 61413 Saudi Arabia;
Hashemite Univ Dept Phys POB 150459 Zarqa 13115 Jordan;
Najran Univ Fac Sci &
Arts Dept Chem Najran 11001 Saudi Arabia;
King Khalid Univ Fac Sci Dept Phys Abha 61413 Saudi Arabia;
Najran Univ Fac Sci &
Arts Dept Chem Najran 11001 Saudi Arabia;
Najran Univ Fac Sci &
Arts Dept Chem Najran 11001 Saudi Arabia;
n-ZnO Nanowires; p-Silicon; Heterojunction Diode;
机译:N-ZnO纳米线/ P-Si衬底异质结二极管的制造和温度依赖性电学特性
机译:CBD / CBD生长的n-ZnO纳米线/ p-Si异质结二极管的温度相关电特性
机译:CBD / CBD生长的n-ZnO纳米线/ p-Si异质结二极管的温度相关电特性
机译:Au催化剂通过气相传输方法辅助ZnO纳米线的生长对P-Si / N-ZnO异质结二极管的制备
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:低成本p-ZnO / n-Si整流纳米异质结二极管:制造和电特性
机译:6H-SiC衬底上n-ZnO / p-AlGaN异质结发光二极管的制备与表征