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机译:辐射硬像素传感器在150nm CMOS处理线中使用高电阻晶片
Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
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Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
School of Physics and Astronomy University of Birmingham Edgbaston Birmingham B15 2TT U.K.;
Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
Max Planck Institut for Physics Werner-Heisenberg Institut F?hringer Ring 6 D-80805 Munich Germany;
Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
University of Oxford Denys Wilkinson Building Keble Road Oxford OX1 3RH U.K.;
Physikalisches Institut University of Bonn Nu?allee 12 D-53115 Bonn Germany;
Radiation-hard detectors; Hybrid detectors;
机译:辐射硬像素传感器在150nm CMOS处理线中使用高电阻晶片
机译:一种辐射硬化的CMOS图像传感器,其像素在电离辐射期间表现出可忽略的小暗水平增加
机译:使用0.18μmCMOS工艺的CMOS像素传感器的电荷收集和非电离辐射容限
机译:用于耗尽型单片有源像素传感器的新型CMOS工艺的辐射硬度研究
机译:为CMS实验研究辐射对像素传感器的影响,并为LHC升级的未来升级设计辐射硬传感器。
机译:使用烃类分子离子植入双外延Si晶片减少CMOS图像传感器像素中的暗电流
机译:辐射硬像素传感器采用150 nm的高阻晶圆 CmOs加工生产线