机译:整数霍尔效应制度中P-GE / GESI结构中跳跃交流电导的普遍频率依赖性
Russian Acad Sci Ioffe Phys Tech Inst St Petersburg 194021 Russia;
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Swiss Fed Inst Technol Lab Festkorperphys CH-8093 Zurich Switzerland;
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Politecn Milan Dept Phys L NESS Via Anzani 42 I-22100 Como Italy;
Politecn Milan Dept Phys L NESS Via Anzani 42 I-22100 Como Italy;
机译:整数霍尔效应制度中P-GE / GESI结构中跳跃交流电导的普遍频率依赖性
机译:量子霍尔体系中掺Si的GaAs / Al0.3Ga0.7As异质结构中DX中心和高频跳跃电导的长期影响:声学研究
机译:在整数量子霍尔效应制度中,N-GaAs / Alas异质结构中的AC和DC导电性具有宽量子阱
机译:Ingaas / InP异质结构中的二维电子气体中整数Quantum Hall效应制度的非通用缩放
机译:远红外磁光研究的旋转效应和整数铃声霍尔制度中的对角线电导率
机译:量子霍尔系统中的电导量化抑制
机译:量子霍尔效应中交流跳跃电导的记忆效应 制度:DX $ ^ - $中心的可能表现形式
机译:量子霍尔体系中选择性掺杂p-Ge / Ge1 xsix异质结构的杂质电位波动。