机译:GD掺杂拓扑绝缘体BI1.09GD0.06SB0.85TE3的磁性和电子性质
St Petersburg State Univ St Petersburg 198504 Russia;
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Helmholtz Zentrum Berlin Mat &
Energie Elektronenspeicherring BESSY II Albert Einstein Str 15 D-12489 Berlin Germany;
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机译:关于磁掺杂拓扑绝缘子的电子和磁性特性的相互作用的光谱观点
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机译:沉积在拓扑绝缘体Sb2Te3上的H末端石墨烯纳米带的电子和磁性
机译:电子与电子之间相互作用的光谱透视 磁掺杂拓扑绝缘子的磁性能