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机译:P-GaAs / I-Ganasbi / N-GaAs量子井激光器的自发发射率和辐射电流密度
Physics Department Faculty of Sciences and Arts in Qurayyat Jouf University Jouf;
Physics Department College of Sciences-Buraydah Al Qassim University;
p–i–n Heterojunction; Stark Effect; Radiative Current Density; Spontaneous Emission Rate; GaNAsBi-Based QWs;
机译:P-GaAs / I-Ganasbi / N-GaAs量子井激光器的自发发射率和辐射电流密度
机译:现象学散射率模型,用于模拟中红外量子级联激光器的电流密度和发射功率
机译:2μmInGaSb / AlGaAsSb量子阱激光器的温度和电流自发发射研究
机译:GaN基衬底上生长的基于GaN / AlGaN的太赫兹量子级联激光器结构的自发发射
机译:从量子级联到超级级联激光的新型激光设计范式,用于广谱排放和电流展开的重新检查
机译:利用激光印刷等离子体阵列调节HgTe量子点的自发红外发射
机译:极低阈值电流密度InGaas量子阱激光器,发射波长为1215-1233 nm
机译:具有量子点和量子阱的激光器结构的远红外自发带内发射。