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机译:在较高温度下WO3薄膜相变对Cu / WO3 / P-Si结构肖特基势垒二极管的影响
Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya Coll Arts &
Sci Dept Phys Coimbatore 641020 Tamil Nadu India;
Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya Coll Arts &
Sci Dept Phys Coimbatore 641020 Tamil Nadu India;
Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya Coll Arts &
Sci Dept Phys Coimbatore 641020 Tamil Nadu India;
Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya Coll Arts &
Sci Dept Phys Coimbatore 641020 Tamil Nadu India;
Dr Mahalingam Coll Engn &
Technol Dept Phys Pollachi 642003 Tamil Nadu India;
I-V characterization; JNSP technique; phase transformation; Schottky barrier diodes; WO3 thin films;
机译:在较高温度下WO3薄膜相变对Cu / WO3 / P-Si结构肖特基势垒二极管的影响
机译:退火温度对旋涂V_2O_5薄膜作为Cu / V_2O_5 / n-Si结构肖特基势垒二极管界面层的影响
机译:Zr含量对Cu / Zr-WO_x / p-Si肖特基势垒二极管的多相锆-钨氧化物(Zr-WO_x)薄膜及其MIS结构的影响
机译:退火温度对P-Si衬底纳米结构WO3薄膜的影响
机译:表征良好的电子束蒸发WSe2薄膜在肖特基势垒二极管中的应用。
机译:纳米结构薄膜WO3电沉积的研究
机译:退火温度对P-Si衬底上纳米结构WO3薄膜的影响