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机译:使用氩气簇来源的超ick膜的二次离子质谱深度分析:作为深度函数的分析区域对分析区域的火山口造成的影响
NIST Gaithersburg MD 20899 USA;
NIST Gaithersburg MD 20899 USA;
argon cluster; depth profiling; gas cluster sources; thick films; ToF-SIMS;
机译:使用氩气簇来源的超ick膜的二次离子质谱深度分析:作为深度函数的分析区域对分析区域的火山口造成的影响
机译:二次离子质谱法在有机材料的氩团簇离子溅射深度分析中的系统温度效应
机译:使用簇次级离子质谱法对聚甲基丙烯酸甲酯进行温度控制的深度分析。 1.调查深度剖面特征
机译:通过图像深度轮廓二次离子质谱(SIMS)表征GaN膜中的衬底/膜界面
机译:使用依赖于深度的阴极发光光谱法和二次离子质谱法研究氮化铝镓膜和镍/氮化铝镓肖特基二极管。
机译:有机材料的SIMS-使用负二次离子在氩气团簇深度剖面中的界面定位
机译:ISO / TC 201标准概述:ISO 22415表面化学分析 - 二次离子质谱法测定氩气簇溅射深度剖面中的产量体积