机译:4H-SIC中重组增强位错滑动产生的单一震撼型堆垛机的形态
Univ Tokyo Inst Engn Innovat Sch Engn Tokyo Japan;
Natl Inst Mat Sci Int Ctr Mat Nanoarchitecton Tsukuba Ibaraki Japan;
4H-SiC; basal-plane dislocation; Shockley-type stacking fault; recombination enhanced dislocation glide; epitaxial film;
机译:4H-SIC中重组增强位错滑动产生的单一震撼型堆垛机的形态
机译:基面位错结构对4H-SiC p-i-n二极管正向电流退化中单个肖克利型堆叠故障扩展的影响
机译:4H-SiC中单个Shockley堆垛层错和部分位错中载流子复合的观察
机译:重组增强位错滑移过程激活的基底堆积断层与4H碳化硅外延层中的螺纹位错之间的相互作用
机译:氢对晶体位错和堆垛层错能量的影响。
机译:相干X射线衍射图中面心立方纳米晶体的位错和堆垛层错的特征:数值研究
机译:(11-20)取向4H-SiC中部分位错和堆垛层错的结构和电学研究