机译:第一个原则研究的压力下,Cunimnal和Cunimnsn的电子拓扑过渡
Indian Inst Technol Hyderabad Dept Phys Sangareddy 502285 Telangana India;
Indian Inst Technol Hyderabad Dept Phys Sangareddy 502285 Telangana India;
Electronic Topological Transitions (ETTs); Fermi surface (FS) topology; Quaternary full Heusler alloys;
机译:第一个原则研究的压力下,Cunimnal和Cunimnsn的电子拓扑过渡
机译:2H-Mote2中的压力诱导的Isostrontucton电子拓扑转变:X射线衍射和第一原理研究
机译:拓扑绝缘体Sb2Te3在压力下的相变,弹性和电子性质:第一个原理研究
机译:膨胀压力驱动的半起式LimGSB中拓扑相变的一致性研究
机译:过渡金属氧化物簇的电子和光学性能研究的第一原理研究
机译:新型硼相在高压下的相变力学性能和电子结构:第一性原理研究
机译:富含氢金属Li5MOH11的稳定和电子拓扑过渡,从第一原理预测下的高压下