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【24h】

n-FeS 2/ p-Cd 1 – x Zn x Te Heterojunctions]]>

机译:<![CDATA [ N -FES <下标> 2 / <重点类型=“斜体”> P -CD <下标> 1 - <重点类型=“斜体”> x zn x te heterojunction]]]>

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摘要

The conditions for fabricating n -FeS~(2)/ p -Cd~(1 –)~( x )Zn~( x )Te heterojunctions by the spray pyrolysis of thin pyrite films on p -Cd~(1 –)~( x )Zn~( x )Te crystalline substrates are investigated. A comprehensive analysis of the current–voltage ( I – V ) and capacitance–voltage ( C – V ) characteristics makes it possible to establish the limitation of the reverse current by the space-charge region at small reverse biases and consider the mechanisms of current formation with the participation of energy levels near the heterojunction. A model of the energy profile of the n -FeS~(2)/ p -Cd~(1 –)~( x )Zn~( x )Te heterojunction is proposed, which turns out to be in good correspondence with the experimentally determined parameters and the dynamics of their change with a variation in temperature.
机译:制造N -FES的条件〜(2)/ p -cd〜(1 - )〜(x)Zn〜(x)Te异质结通过薄硫铁矿薄膜的喷雾热解〜(1 - )〜( X)XN〜(X)TE晶体基材进行了研究。 对电流电压(I-V)和电容 - 电压(C-V)特性的综合分析使得可以在小反向偏置时通过空间电荷区域确定反向电流的限制,并考虑电流的机制 在异质结附近的能量水平的参与形成。 提出了一种〜(2)/ p -cd〜(1 - )〜(x)zn〜(x)Te异质结的能量分布模型,结果与实验确定的良好对应 随着温度变化的变化,参数和变化的动态。

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