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机译:加速试验期间Ingan / GaN绿色LED外部量子效率的变化模式
Russian Acad Sci Kotelnikov Inst Radio Engn &
Elect Ulyanovsk Branch Ulyanovsk 432071 Russia;
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LED; heterostructure; quantum well; external quantum efficiency; radiative and non-radiative recombination; lifetime of charge carriers;
机译:加速试验期间Ingan / GaN绿色LED外部量子效率的变化模式
机译:不同GaN盖层厚度的InGaN / GaN多量子阱绿色LED的性能和效率下降行为研究
机译:使用电致发光方法研究蓝宝石衬底上的InGaN / GaN UV LED的内部量子效率
机译:用光致发光和电致发光方法测量带图案蓝宝石衬底的InGaN / GaN UV LED的内部量子效率
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:加速检测过程中Ingan / GaN绿光发光二极管外部量子效率变化的规律