机译:栅极绝缘技术技术与GaN的电力HEMTS栅极绝缘和表面钝化
Hokkaido Univ RCIQE Sapporo Hokkaido 0600813 Japan;
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Hokkaido Univ RCIQE Sapporo Hokkaido 0600813 Japan;
Slovak Acad Sci Inst Elect Engn Bratislava 84104 Slovakia;
Kumamoto Univ Prior Org Innovat &
Excellence Kumamoto 8608555 Japan;
GaN; AlGaN; InAlN; HEMT; MIS; MOS; Surface passivation; Interface states;
机译:栅极绝缘技术技术与GaN的电力HEMTS栅极绝缘和表面钝化
机译:GaN基功率晶体管的绝缘栅和表面钝化结构
机译:GaN基MIS-HEMT中AlN / SiN x sub>钝化与LPCVD-SiN x sub>栅介质的相容性
机译:用于N极GaN的T型栅极技术,具有127 GHz的最新F_(MAX)的N极GaN的自对准MIS-HEMTS:用于缩放到30nm GaN Hemts的路径
机译:用于GaN智能电力IC的集成栅极保护的HEMT和混合信号功能块
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:栅极绝缘技术的最先进和GaN的电力HEMTS的表面钝化