机译:栅极绝缘技术技术与GaN的电力HEMTS栅极绝缘和表面钝化
机译:用于高阈值电压的基于GaN的HEMT功率器件的组合的部分凹陷和多层氟化介电层栅极结构的形成
机译:GaN基功率晶体管的绝缘栅和表面钝化结构
机译:用于N极GaN的T型栅极技术,具有127 GHz的最新F_(MAX)的N极GaN的自对准MIS-HEMTS:用于缩放到30nm GaN Hemts的路径
机译:用于GaN智能电力IC的集成栅极保护的HEMT和混合信号功能块
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:具有p-GaN栅极的基于GaN的功率HEMT的场驱动和电流驱动退化:取决于Mg掺杂水平