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机译:II型INAS / GASB超晶格红外探测器的材料和器件表征
Cardiff Univ Sch Phys &
Astron Cardiff CF243AA S Glam Wales;
Univ Calif Los Angeles Calif NanoSyst Inst Los Angeles CA 90095 USA;
Univ Calif Los Angeles Calif NanoSyst Inst Los Angeles CA 90095 USA;
Cardiff Univ Sch Phys &
Astron Cardiff CF243AA S Glam Wales;
InAs/GaSb superlattice; MBE growth; Shutter sequence; Midwave infrared; Photodiode;
机译:II型INAS / GASB超晶格红外探测器的材料和器件表征
机译:高工作温度INAS / GASB型II超晶格探测器,用于长波长红外线
机译:基于INAS / GASB Type-II超晶格(T2SL)的可见光的中红外宽谱检测器
机译:用于长波长红外探测器的InAs / GaSb II型超晶格的生长和表征
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:基于II型InAs / GaSb / AlSb超晶格的高性能偏置可选三色短波/中波/长波红外光电探测器
机译:InAs / GaSb II型针型超晶格红外探测器在中波长红外范围内的理论研究
机译:使用63 meV质子的双带Inas / Gasb II型应变层超晶格pBp探测器的辐射容限特性。