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【24h】

GROWTH OF MAGNESIUM OXIDE FILMS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

机译:氧化镁膜在半导体基底上的生长

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摘要

Recently there have been attempts to fabricate various electronic devices based on III-V semiconducting materials. Especially, the focus has been on gallium arsenide (GaAs), aluminum arsenide (AlAs), gallium nitride (GaN), and aluminum nitride (A1N). These materials can be used in various microelectronics solutions such as integrated circuits of the second generation solar cells.
机译:最近,已经尝试制造基于III-V半导体材料的各种电子设备。尤其是,重点是砷化镓(GaAs),砷化铝(AlAs),氮化镓(GaN)和氮化铝(AlN)。这些材料可以用于各种微电子解决方案中,例如第二代太阳能电池的集成电路。

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