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机译:氢稀释对使用等离子体增强化学气相沉积制备的氢化非晶硅膜硅簇体积分数的影响
Mokpo Natl Maritime Univ Div Marine Mechatron 91 Haeyangdaehak Ro Mokpo Si 58628 Jeollanam Do South Korea;
Kyushu Univ Fac Informat Sci &
Elect Engn Nishi Ku 744 Motooka Fukuoka Fukuoka 8190395 Japan;
Kyushu Univ Fac Informat Sci &
Elect Engn Nishi Ku 744 Motooka Fukuoka Fukuoka 8190395 Japan;
Silicon cluster; Silicon film; Multi-hollow electrode; Hydrogen; Dilution; PECVD;
机译:氢稀释对使用等离子体增强化学气相沉积制备的氢化非晶硅膜硅簇体积分数的影响
机译:多晶硅薄膜晶体管的等离子增强化学气相沉积法沉积纯氢化非晶硅
机译:氢稀释比对超高频等离子体化学气相沉积沉积氢化纳米晶立方碳化硅膜性能的影响
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积沉积氢化非晶碳化硅薄膜
机译:一种在大气压下化学气相沉积制备氢化非晶硅薄膜的简单方法。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积沉积氢化非晶碳化硅薄膜