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机译:基于现象学的统计调整虚拟计量中的等离子体信息变量的特征,以预测二氧化硅蚀刻深度
Seoul Natl Univ Dept Energy Syst Nucl Engn Seoul 08826 South Korea;
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Silicon oxide etching; Plasma information (PI) variable; Virtual metrology (VM); Optical emission spectroscopy (OES); Statistical selection method; PI-VM;
机译:基于现象学的统计调整虚拟计量中的等离子体信息变量的特征,以预测二氧化硅蚀刻深度
机译:使用低相干干涉法同时原位测量二氧化硅等离子体刻蚀过程中的硅衬底温度和二氧化硅膜厚度
机译:通过使用等离子信息(PI)参数增强等离子辅助氧化物蚀刻工艺的虚拟计量性能
机译:二氧化硅蚀刻UHF-ECR装置的等离子体特性分析
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:硅和二氧化硅等离子体刻蚀的建模,模拟和多变量控制
机译:氟碳等离子体中二氧化硅和光刻胶蚀刻的表征