机译:具有TiO2层间氧沉积压力的Au / TiO2 / GaN结的漏电流和整流行为
Kyungpook Natl Univ Dept Phys Daegu South Korea;
Kyungpook Natl Univ Dept Elect Engn Daegu South Korea;
Kyungpook Natl Univ Dept Elect Engn Daegu South Korea;
Kyungpook Natl Univ Dept Phys Daegu South Korea;
Metal-insulator-semiconductor junction; Schottky junction; I-V characteristics; Leakage;
机译:具有TiO2层间氧沉积压力的Au / TiO2 / GaN结的漏电流和整流行为
机译:温度如何影响CO在Au / TiO2上的氧化机理:结合EPR和TAP反应器研究CO反应去除Au / TiO2中的TiO2表面晶格氧
机译:温度对AU / ND_2O_3 / N-GaN金属/层间/半导体(MIS)结的电流传输性能的影响
机译:低压化学气相沉积(LPCVD)混合相析脂酶TiO2和掺杂TiO2(B)薄膜的合成与表征
机译:通过原子层沉积(ALD)在质子交换膜燃料电池(PEMFCs)中制造的Au纳米颗粒(NPS)/超薄TiO2消除CO毒物作用
机译:CdS在TiO2上金纳米颗粒的原位形变光沉积:它对光致电子注入的近场增强作用从CdS到TiO2
机译:通过在Cu2O / TiO2 P-n结的基位特异性沉积通过位点特异性沉积的乙醇光学增强氢气产生
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。