机译:AlGaN阻挡层厚度依赖性表面和界面捕获AlGaN / GaN异质结构的诱捕特性
NIT Agartala Dept ECE Agartala 799046 Tripura India;
NIT Agartala Dept ECE Agartala 799046 Tripura India;
IIT Kharagpur Dept ECE Kharagpur 721302 W Bengal India;
机译:AlGaN阻挡层厚度依赖性表面和界面捕获AlGaN / GaN异质结构的诱捕特性
机译:温度依赖性阈值电压分析对AlGaN / GaN和AlGaN / InGaN / GaN异质结构中俘获电荷的影响
机译:具有和不具有Si_3N_4表面钝化的AlGaN / GaN异质结构中AlGaN势垒的温度相关应变松弛
机译:AlGaN阻隔厚度对AlGaN / GaN异质结构捕获特性的影响
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:在静水压力下具有变化的AlGaN厚度和成分的GaN / AlGaN / GaN双异质结构的电流与电压特性