机译:温度依赖性阈值电压分析对AlGaN / GaN和AlGaN / InGaN / GaN异质结构中俘获电荷的影响
Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Agartala;
Solid State Physics Laboratory, DRDO;
CREOL, University of Central Florida;
School of Computing and Electrical Engineering, IIT Mandi;
School of Computing and Electrical Engineering, IIT Mandi;
Department of E&ECE, IIT Kharagpur;
机译:通过频率电导测量比较AlGaN / GaN和AlGaN / InGaN / GaN异质结构的陷阱特性
机译:AlGaN / GaN /梯度AlGaN∶Si / GaN∶C多异质结构中不同温度下复合2D-3D沟道的陷阱分析
机译:AlGaN / GaN HEMT中AlGaN / GaN界面陷阱对负阈值电压偏移的作用
机译:使用依赖于频率和温度的C-V技术映射高性能Al2O3 / AlGaN / GaN MIS异质结构中的界面陷阱
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:Gd2O3 / alGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构的温度相关阈值电压变化研究