京大発ベンチャーのFLOSFIA、シリコン、炭化ケイ素に続く第3のパワーデバイスミ酸化ガリウムミ製法確立

摘要

シリコン （Si） に代わるパワーデバイスとして炭化ケイ素（SiC） に続き、酸化物半導体が注目されている。最近では京都大学発のベンチャー企業、FLOSFIA （本社‥京都市、人羅俊実社長） が、真空装置を使わない低コストなCVDプロセスで 『酸化ガリウム （Ga2O3） パワーデバイス』を製造する方法を確立、普及に期待が掛かっている。酸化ガリウムはSiに比べ電力損失が少なく、SiCに比べ製造コストを抑えられる可能性を秘めたパワーデバイスである。今回FLOSFIAが確立した製造プロセスとは如何なるものなのか、同社を取材した。