SiCデバイス応用機器の開発状況

摘要

パワーエレクトロニクス機器の中で最も広く普及しているパワーデバイスはトランジスタ系デバイスとダイオードである。バイポーラデバイスの進化形であるIGBTは、耐圧600V以上での主力デバイスで、耐圧クラスは6．5kVまでが製品化されている。MOSFETは最近のSJ-MOS構造により高耐圧クラスでのMOSFETの特件が飛躍的に向上し、現在では、耐圧600VクラスがMOSFETとIGBTの境界領域と考えられている。