面接合で大電流に対応するSiCパワー半導体実装技術

摘要

横浜国立大学の手強准教授はマイクロモジュールテクノロジーと共同で、ジャンクション温度（Tj、半導体内の動作温度）が高い炭化ケイ素（SiC）パワー半導体デバイスの実装技術を開発した。SiCパワー半導体に面接合のフリップチップ実装を採用、500Aの電流を流せるため電気自動車などにも使えるという。