金属焼結接合を用いた次世代ワイドバンドギャップ·パワー半導体の耐熱実装技術

摘要

パワー·エレクトロニクスの分野では、従来から用いられてきたSi半導体の熱的·電的限界を超えて更なる高効率化·小型化を進めるために、SiCやGaN等のワイドバンドギャップ半導体の採用が本格的に進hでいる。これら次世代半導体の潜在力を十分に発揮するためには、大宅流密度とそれによる高い発熱密度、高温動作に耐えうる実装技術が求められている。しかしながら、従来の高温鉛はhだは180°Cを超えると液相が出現するため、200°Cを超える湿度での使用は難しい。次世代パワー·デバスは250°Cでの安定勤作を目指しており、その為の超耐熱接合技術として金属焼結を用いた鉛フリー耐熱接合技術が注目されている。よく知られているように、金属粉がナノメートル。サイズに近づくと融点が下がって焼結温度が低くなる。もちろh十分に焼結が進めば、融点且やレク金属に近づき、耐熱性を獲得する。