溶液成長法によるSiCバルク結晶育成

摘要

炭化ケイ素（SiC）は、次世代の高性能パワー半導体材料として注目を集めている。自動車分野でも、ハイブリッド車や電気自動車などの普及に伴い、電力利用効率向上のため、省エネ素子の技術開発が進められている。SiCパワー半導体は、電動車両のインバーターやDC－DCコンバーターなどのシステムを大幅に小型、軽量化する可能性を秘めている。しかしながら、SiCパワー半導体を本格的に普及させるためには、様々な課題を解決していく必要がある。中でも普及を妨げている要因は結晶基板の信頼性、すなわち転位欠陥に由来する品質の問題が大きいと考えている。われわれはこの品質に関わる課題を解決するには、SiやGaAsなど従来より用いられている液相での結晶成長法が最も相応しいと考え、溶液成長法によるSiC単結晶の育成に取り組hでいる。