溶液法SiC結晶成長におけるメルトバックが

摘要

半導体パワーデバイス用途のSiC単結晶の高品質化への期待から、近年、溶液法が注目されている。溶液法は昇華法と比較して、種結晶よりも転位密度の小さい成長結晶が得られる[1][2]。溶液法では結晶成長前に種結晶表層を溶解させるメルトバック工程があり、成長結晶の品 質を左右する重要な工程と考えられているが、研究例が少なく、その詳細は不明な点が多い[3]。 そこで本研究では、メルトバックが成長初期の結晶性に及ぼす影響について明らかにすることを 目的とした。今回、メルトバック非適用時と適用時で溶液成長実験を行い、種結晶と成長結晶の 界面観察と成長結晶の品質比較を行った。